IC package

封装技术发展路径：

裸片贴装

传统方式，晶圆切割后，粘在基板上，进行引线键合。

倒片封装

晶圆倒扣在基板上，用金属小球连接

缩短了互联距离、减小了阻抗、连接密度更大、封装更紧凑、尺寸更小

RDL重布线层技术

RDL (redistribution layer) 将IO触点从边缘延伸到芯片表面，此技术可应用于倒片封装。

晶圆级封装

这个也要基于RDL技术

扇入型封装

切割之后出来就是成品，成品的尺寸和裸片几乎相同

扇出型封装

相比扇入型，外围多加了一圈保护壳，增加了触点

2.5D/3D封装

考虑多个芯片协同封装

传输路径短，减小了延迟、功耗

2.5D封装

将两块芯片放在同一块硅中介层上，再把硅中介层安装在基板上。

3D封装

相比于2.5D，没有了Si interposer，直接进行Die堆叠。

2.5D/3D封装，其关键技术是TSV (Trough Silicon Via) 硅通孔技术

chiplet封装

chiplet相当于把SoC这一整个复杂大系统拆分成几个小芯片

• 良率高了，成本低了
• 技术难度低了，开发周期短了
• 可复用了，更灵活了
• 面积消耗多一些，而性能与SoC旗鼓相当

参考链接

全网最简单清晰！15分钟彻底讲清楚芯片封装技术！硬核剖析先进封装，3D封装、TSV、Chiplet一网打尽！【深度报告】

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